Module amplificateur de puissance haute puissance GaN 100 W 750-1300 MHz CW à haut rendement

L'amplificateur de puissance haute puissance ZDTECH 100 W 750-1300 MHz GaN utilise des transistors HEMT GaN et prend en charge 8 sous-bandes de fréquence. Avec une puissance de sortie de 50 dBm en mode continu, un rendement supérieur à 25 % et une linéarité de sortie de 1 dB, il présente un ROS entrée/sortie de 1,5:1, un niveau de signaux parasites de 50 dBc et une alimentation de +28 V CC. Nécessitant une dissipation thermique par contact froid, il fonctionne de -30 °C à +55 °C et convient à diverses applications RF.

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Détails du produit

L'amplificateur de puissance haute performance ZDTECH 100 W 0,4-6 GHz GaN est un dispositif d'amplification RF haute performance basé sur des transistors HEMT GaN de pointe, offrant une puissance et un rendement élevés. Couvrant 8 sous-bandes de 0,4-0,75 GHz à 5,5-6 GHz, il prend en charge le mode de fonctionnement CW (onde continue), délivrant une puissance de sortie stable de 50 dBm et un rendement supérieur à 25 % pour une consommation d'énergie réduite. Avec une linéarité de sortie inférieure à 1 dB, un ROS entrée/sortie de 1,5:1 (entrée uniquement pour 400-700 MHz et 750-1300 MHz) et un niveau de signaux parasites aussi faible que 50 dBc, il garantit une transmission du signal pure et stable.

Alimenté par une source de +28 V CC, ce dispositif est équipé d'un connecteur de sortie N-KFD50 et nécessite une dissipation thermique par contact froid pour garantir sa stabilité de fonctionnement. Fonctionnant dans une plage de températures de -30 °C à +55 °C, il s'adapte aux environnements complexes. De plus, il prend en charge une logique de contrôle TTL à niveau haut (activation et fonctionnement normal), ce qui le rend largement applicable à diverses applications RF telles que les communications, les radars, les tests et mesures, offrant ainsi une solution fiable pour l'amplification de signaux haute puissance.

Gamme de fréquences		0,4-0,75G/0,75-1,3G/1,3-2G/2-3G/3-4G/4-5G/5-5,5G/5,5-6G
Puissance de sortie		50 dBm
Mode de fonctionnement		CW
Niveau erroné		50 dBc
Puissance d'entrée		0±1dBm
Efficacité		>25%
Sortie de planéité		1 dB
ROS d'entrée/sortie		1,5:1 (Entrée uniquement 400-700 MHz, 750-1300 MHz)
Connecteur de sortie		N-KFD50
Plage de température		-30℃~+55℃
Fournir		+28V