6-18GHz 100W GaN 초광대역 SSPA RF 전력 증폭기 모듈
ZDTECH 6-18GHz 100W 초광대역 GaN RF 전력 증폭기는 GaN 칩-와이어 기술을 채택했습니다. 일반적인 포화 출력 100W, 50dB 게인, 전체 대역에서 ±1dB의 게인 평탄도, -60dBc의 스퓨리어스 억제 기능을 제공하며, 50옴 정합 입력 및 출력 포트를 갖추고 있습니다. 28VDC 전원을 사용하며, 과열 및 과전류 자동 보호 회로가 내장되어 있어 오류 발생 시 경보 출력을 제공합니다. SMA 암 입력, N형 암 출력 및 D-SUB 제어 커넥터를 갖춘 이 소형 경량 모듈은 -20℃ ~ 50℃의 온도 범위에서 안정적으로 작동하며, EMC 테스트, 마이크로파 재밍 및 RF 측정 시스템에 널리 사용됩니다.
1. 전기 사양 (+28VDC, 25℃, 핀=0dBm, 50Ω)
| 매개변수 | 상징 | 민 | 유형 | 맥스 | 단위 | |||||
| 동작 주파수 | 블랙위 | 6000 | 18000 | MHz | ||||||
| PSAT에서의 RF 출력 전력 | PSAT | 100 | 와트 | |||||||
| PSAT에서의 전력 이득 | 그룹 | 50 | dB | |||||||
| PSAT에서의 전력 이득 평탄도 | ΔGp | ±1 | dB | |||||||
| 입력 반환 손실 | S11 | -10 | dB | |||||||
| 100W에서의 고조파 | 시간 | -15 | dBc | |||||||
| PSAT의 허위 신호 | 박차 | -60 | dBc | |||||||
| 입/출력 임피던스 | 임피던스 | 50 | 오 | |||||||
| 작동 전압 | VDC | 28 | 볼트 | |||||||
| 정지 전류 | IQ | 9 | 앰프 | |||||||
| 100W에서의 동적 전류 | IDD | 20 | 앰프 | |||||||
| 전력 효율 향상 | 효과 | 20 | % |
2. 절대 최대 정격
| 매개변수 | 평가 | |||
| RF 드라이브 레벨 입력 (손상 없음) | +10dBm | 최고 | ||
| 출력단(POUT)에서의 VSWR 부하 = 100W | 5:1 @ 모든 부하 위상 및 진폭 연속 | |||
| 열 과부하 | 85℃ ±5℃에서 작동 중지 | 최고 |
3. 환경 규격 (규격 충족을 위한 설계)
| 매개변수 | 최저한의 | 전형적인 | 최고 | 단위 | 메모 | |||||
| 작동 온도 | -20 | 50 | ℃ | |||||||
| 비작동 온도 | -25 | 65 | ℃ | 저장 | ||||||
| 상대 습도(비응축) | 95 | % |
4. 기계적 사양
| 매개변수 | 값 | 단위 | 메모 | |||
| 치수 | 200x160x35 [7.87x6.30x1.38] | 밀리미터 [인치] | ||||
| 무게 | 1.5 [3.30] | kg [파운드] | 유형 | |||
| RF 커넥터 입력 | SMA-K, 암컷 | |||||
| RF 커넥터 출력 | NK, 여성 | |||||
| DC 인터페이스 커넥터 | 하이브리드, 7W2 혼합 접촉 D-Sub, 수컷 |
5.ZD 인터페이스 커넥터
| 핀 | 설명 | 명세서 | ||
| A1 | VDD | +28VDC | ||
| A2 | 접지 | 지면 | ||
| 1 | 할 수 있게 하다 | 증폭기 활성화: TTL 로직 하이(+3.3V)(내부적으로 풀다운됨) | ||
| 2 | 접지 | 지면 | ||
| 3 | 온도 경보 | 모듈 온도에 대한 아날로그 전압 (10mV/℃) 750±20mV@25℃(typ) | ||
| 4 | 전류 경보 | IDD 대비 아날로그 전압(암페어당 26mV), 0A에서 1650mV(typ) | ||
| 5 | NC |