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10W/20W 800~6000MHz 광대역 GaN 전력 증폭기 모듈
SSPA

10W/20W 800~6000MHz 광대역 GaN 전력 증폭기 모듈

본 제품은 800~6000MHz 주파수 대역을 커버하는 GaN SSPA 모듈로, 10W/20W의 포화 출력과 40~41dB의 이득을 제공하며, 50Ω의 입출력 임피던스 매칭을 갖추고 있습니다. 24~32V의 넓은 전압 범위에서 작동하며, 과열, 과전압, 과전류로부터 자동으로 전원을 차단하는 보호 기능을 내장하고 있습니다. SMA 암 포트를 갖추고 있으며, EMC 테스트 및 RF 재밍 애플리케이션에 적합한 컴팩트한 크기를 자랑합니다.

    본 제품은 800MHz~6000MHz의 옥타브 대역폭을 지원하는 GaN 고체 전력 증폭기(SSPA) 모듈입니다. 일반적인 포화 출력 전력은 10W/20W이며, 40~41dB의 전력 이득과 ±2dB의 이득 평탄도를 제공합니다. 표준 50Ω 입력 및 출력 임피던스 매칭을 특징으로 합니다. 24~32V의 넓은 DC 전원 공급 범위에서 작동하도록 설계되었으며, 최대 출력 시 일반적인 DC 전류 소모량은 2A이고 전력 부가 효율은 15%입니다. 고조파 성능은 10W 출력에서 ​​≤-10dBc, 포화 상태에서 스퓨리어스 신호는 ≤-60dBc에 도달하며, 3:1의 전상 부하 VSWR을 지속적으로 견딜 수 있습니다. 과열, 과전압 및 과전류 보호 회로가 내장되어 있어 85℃±5℃에서 자동으로 전원이 차단되며, TTL 활성화 제어 기능을 제공합니다. RF 입력 및 출력은 SMA 암 커넥터를 사용하고, DC 제어는 6핀 수 소켓을 사용합니다. 크기는 115×58.5×20mm이고 무게는 0.5kg에 불과한 이 제품은 넓은 온도 범위에서 안정적으로 작동하며 RF 재밍, EMC 테스트 및 측정 시스템에 널리 적용됩니다.

    800-6000MHz 10W 전력 증폭기 모듈

    ZD-PA-800-6000-10 모델은 800MHz에서 6000MHz 사이의 주파수 대역에서 동작하는 멀티옥타브 고출력 증폭기로, 10W(typ)의 포화 출력과 넓은 동적 범위를 제공합니다. 질화갈륨(GaN) 및 칩앤와이어(chip-and-wire) 제조 기술을 적용하여 뛰어난 전력 성능과 우수한 부피 대비 출력 효율을 구현했습니다. 전파 방해, EMC, 테스트 및 측정 애플리케이션에 이상적입니다. 또한 과열, 과전압, 과전류 경보 기능을 갖추고 있어 이러한 조건 발생 시 자동으로 전원이 차단됩니다.

    특징:

    • 작고 가벼움
    • 초고속 인터넷 즉시 접속
    • 입력 및 출력 임피던스 매칭 50옴
    • 내장형 제어 및 보호 회로.

    전기 사양 (+28VDC, 25°C, 50Ω)

    매개변수

    상징

    유형

    맥스

    단위

    동작 주파수

    블랙위

    800

    6000

    MHz

    PSAT에서의 RF 출력 전력

    PSAT

    10

    와트

    PSAT에서의 전력 이득

    그룹

    40

    41

    dB

    PSAT에서의 전력 이득 평탄도

    ΔGp

    ±2

    dB

    입력 반환 손실

    S11

    -10

    dB

    10W에서 발생하는 고조파

    시간

    -10

    dBc

    PSAT의 허위 신호

    박차

    -60

    dBc

    입/출력 임피던스

    임피던스

    50

    작동 전압

    VDC

    24

    28

    32

    볼트

    전력 효율 향상

    효과

    15

    직류 전류 @10W

    IDD

    2

    앰프

    절대 최대 등급

    매개변수

    평가

    RF 드라이브 레벨 입력 (손상 없음)

    +10dBm

    최고

    POUT에서의 VSWR 부하 = 10W

    3:1 @ 모든 부하 위상 및 진폭 연속

    열 과부하

    85°C ±5°C에서 전원 차단

    최고

    환경 규격(충족을 위한 설계)

    매개변수

    최저한의

    전형적인

    최고

    단위

    메모

    작동 온도

    -30

    55

    °C

    비작동 온도

    -40

    65

    °C

    상대 습도(비응축)

    95

    %

    기계적 사양

    매개변수

    단위

    메모

    치수

    115x58.5x20(가로x세로x높이)

    mm

    최고

    무게

    0.5

    kg

    RF 커넥터 입력

    SMA-K, 암컷

    RF 커넥터 출력

    SMA-K, 암컷

    DC 인터페이스 커넥터

    6핀 소켓, 수컷

    DC 인터페이스 커넥터

    핀#

    설명

    명세서

    1

    NC

    NC

    2

    NC

    NC

    3

    접지

    접지

    4

    NC

    NC

    5

    NC

    NC

    6

    이것

    증폭기 활성화: TTL 로직 하이(3.3V)(내부적으로 풀다운됨)

    전원 인터페이스 커넥터

    28V 전원 공급 장치 및 관통형 커패시터 커넥터.

    개략도 (모든 치수는 mm [인치] 단위)

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