100W 6-8GHz GaN SSPA 솔리드 스테이트 RF 전력 증폭기 모듈
이 6000-8000MHz 100W GaN SSPA 멀티 옥타브 고출력 솔리드 스테이트 증폭기 모듈은 GaN 칩-앤-와이어 기술을 채택했습니다. 포화 출력 전력 ≥100W, 전력 이득 ≥50dB, ±2dB 이득 평탄도, 입력 반사 손실 ≤-10dB를 제공합니다. 50W 출력에서 고조파는 ≤-12dBc로 제어되며, 포화 상태에서 스퓨리어스 억제는 ≤-60dBc에 도달합니다. 표준 50Ω 입력 및 출력 임피던스 매칭을 기준으로 합니다.
이 제품은 24~32V(공칭 28V)의 넓은 DC 입력 전압 범위를 지원하며, 50W 출력 시 일반적인 전류 소모량은 8A입니다. 100W 최대 출력에서 3:1의 전상 부하 VSWR을 지속적으로 견딜 수 있으며, 과열, 과전압, 과전류에 대한 3중 보호 기능과 85℃±5℃에서 자동 차단 기능을 갖추고 있습니다. 7W2 하이브리드 D-Sub 커넥터는 전원 공급, TTL 활성화 및 RS485 원격 통신 기능을 통합합니다. SMA-F RF 입력 및 NF 출력을 갖추고 있으며, 크기는 170×94×26.5mm, 무게는 1.5kg입니다. -30℃ ~ +55℃의 작동 온도 범위를 가지며, EMC 테스트, RF 재밍 시뮬레이션 및 마이크로파 측정 시스템에 널리 적용됩니다.
| 작동 주파수 | 6000-8000MHz | |||||
| 포화 출력 전력 | 100와트 이상 | |||||
| 포화 출력 전력 이득 | ≥50dB | |||||
| 전력 이득 평탄도 | 50±2dB | |||||
| 입력 반환 손실 | -10dB 이하 | |||||
| 50W에서 발생하는 고조파 | ≤-12dBc | |||||
| PSAT의 허위 신호 | ≤-60dBc | |||||
| 입/출력 임피던스 | 50옴 | |||||
| 작동 전압 | DC+28V(DC+24-+32V) | |||||
| 직류 전류 @50W | 8A | |||||
| RF 드라이브 레벨 입력 (손상 없음) | ≤+10dBm | |||||
| 신호 소스 | 없이 | |||||
| 출력단(POUT)에서의 VSWR 부하 = 100W | 3:1 @ 모든 부하 위상 및 진폭 연속 | |||||
| RF 입력 | SMA-K, 암컷 | |||||
| RF 출력 | NK, 여성 | |||||
| 전원 공급 커넥터 | 하이브리드, D-Sub7W2, 수컷 | |||||
| 치수 | 170mm*94mm*26.5mm | |||||
| 무게 | 1.5kg | |||||
| 마무리 손질 | 합금 이리다이트 | |||||
| 작동 온도 | -30~+55℃ | |||||
| 상대 습도 | 5%~95%, 결로 현상 없음 | |||||
| 보관 온도 | -40~+65℃ | |||||
| 열 과부하 | 85°C ±5°C에서 전원 차단 | |||||
| 핀 | 정의 | 설명 | ||||
| A1 | 접지 | 지면 | ||||
| A2 | VDD | +28V | ||||
| 1 | 할 수 있게 하다 | 증폭기 활성화: TTL 로직 하이(3.3V)(내부적으로 풀다운됨) | ||||
| 2 | 접지 | 지면 | ||||
| 3 | 485A | RS485 직렬 통신 | ||||
| 4 | 485B | RS485 직렬 통신 | ||||
| 5 | NC | 연결되지 않음 | ||||