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Module d'amplificateur de puissance RF SSPA ultra large bande GaN 6-18 GHz 100 W
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Module d'amplificateur de puissance RF SSPA ultra large bande GaN 6-18 GHz 100 W

L'amplificateur de puissance large bande ZDTECH 6-18 GHz 100 W GaN utilise la technologie puce-fil GaN et délivre une puissance saturée de 100 W, un gain de 50 dB, une linéarité de ±1 dB et une suppression des signaux parasites de -60 dBc. Alimenté en 28 V CC, il est doté d'une protection automatique contre les surchauffes et les surintensités, ainsi que de ports RF SMA/N. Compact, il est idéal pour les tests CEM et les mesures micro-ondes.

    L'amplificateur de puissance RF GaN ultra-large bande 6-18 GHz 100 W de ZDTECH utilise la technologie GaN sur puce et fil. Il offre une puissance de sortie saturée typique de 100 W, un gain de 50 dB et une linéarité de gain de ±1 dB sur toute la bande, avec une suppression des signaux parasites de -60 dBc et des ports d'entrée et de sortie adaptés à 50 ohms. Alimenté en 28 V CC, il intègre des circuits de protection automatique contre les surchauffes et les surintensités, avec sortie d'alarme en cas de défaut. Doté d'une entrée SMA femelle, d'une sortie N femelle et d'un connecteur de contrôle D-SUB, ce module compact et léger fonctionne de manière stable de -20 °C à 50 °C et est largement utilisé dans les tests CEM, le brouillage micro-ondes et les systèmes de mesure RF.

    1. Spécifications électriques (+28 V CC, 25 °C, Broche = 0 dBm, 50 Ω)

    Paramètre

    Symbole

    Min

    Taper

    Max

    Unités

    Fréquence de fonctionnement

    NW

    6000

    18000

    MHz

    Puissance de sortie RF @PSAT

    PSAT

    100

    Watt

    Gain de puissance @PSAT

    Groupe

    50

    dB

    Gain de puissance linéaire @PSAT

    ΔGp

    ±1

    dB

    Perte de retour d'entrée

    S11

    -10

    dB

    Harmoniques à 100 W

    H

    -15

    dBc

    Signaux parasites @PSAT

    Éperon

    -60

    dBc

    Impédance d'entrée/sortie

    Impédance

    50

    Oh

    Tension de fonctionnement

    VDC

    28

    Volt

    Courant de repos

    QI

    9

    Amplificateur

    Courant dynamique à 100 W

    IDD

    20

    Amplificateur

    L'efficacité énergétique est accrue.

    Eff

    20

    %

    2. Note maximale absolue

    Paramètre

    Notation

    Niveau d'entrée RF sans dommage

    +10 dBm

    Maximum

    TOS de charge à POUT = 100 W

    5:1 à toutes les phases et amplitudes de charge continues

    Surcharge thermique

    Arrêt à 85 °C ±5 °C

    Maximum

    3. Spécifications environnementales (Conception conforme)

    Paramètre

    Minimum

    Typique

    Maximum

    Unités

    Notes

    Température de fonctionnement

    -20

    50

    ℃

    Température hors fonctionnement

    -25

    65

    ℃

    Stockage

    Humidité relative (sans condensation)

    95

    %

    4. Spécifications mécaniques

    Paramètre

    Valeur

    Unités

    Notes

    Dimensions

    200x160x35 [7,87x6,30x1,38]

    mm [pouce]

    Poids

    1,5 [3,30]

    kg [lbs]

    Taper

    Connecteurs RF Entrée

    SMA-K, Femme

    Sortie des connecteurs RF

    NK, Femme

    Connecteur d'interface CC

    Hybride, 7W2 Contact Mixte D-Sub, Mâle

    Connecteur d'interface 5.ZD

    Épingle

    Description

    Caractéristiques

    A1

    VDD

    +28 V CC

    A2

    GND

    Sol

    1

    ACTIVER

    Activation de l'amplificateur : niveau logique TTL haut (+3,3 V) (tiré à la masse en interne)

    2

    GND

    Sol

    3

    ALARME DE TEMPÉRATURE

    Tension analogique en fonction de la température du module à 10 mV/°C

    750±20mV@25℃(typ)

    4

    ALARME ACTUELLE

    Tension analogique relative à IDD à 26 mV par ampère, 1650 mV à 0 A (typ.)

    5

    Caroline du Nord

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