Amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN 300 W en bande S (2000-2120 MHz)

Cet amplificateur de puissance à semi-conducteurs GaN de 300 W en bande S (2000-2120 MHz) est spécialement conçu pour l'amplification des signaux de liaison montante des communications par satellite. Grâce à l'utilisation de puces GaN éprouvées et d'une technologie de combinaison de puissance à haut rendement, il offre une puissance de sortie saturée ≥ 54,8 dBm et un gain en petits signaux ≥ 65 dB, avec un gain ajustable en continu de 0 à 25 dB par pas de 0,1 dB. Il garantit une planéité de gain de ±3 dB sur toute la bande passante, de ±0,6 dB sur une bande passante de 40 MHz, une IMD3 ≤ -25 dBc et des émissions parasites ≤ -55 dBc, avec un ROS d'entrée de 1,5 et un ROS de sortie de 1,35 pour une linéarité exceptionnelle.

Alimenté en 220 V CA et consommant environ 960 W, ce dispositif intègre une protection multiple contre les surintensités, les surchauffes, les surtensions et les TOS élevés. Il prend en charge la surveillance à distance via Ethernet et RS485 et est équipé d'une entrée RF SMA et d'une sortie de type N. Mesurant 470 × 283 × 152 mm et pesant ≤ 35 kg, il fonctionne de -40 °C à +50 °C. Parmi les fonctions optionnelles figurent la redondance 1:1/1:2, la réjection hors bande et la conversion de fréquence pour les systèmes de communication des stations terrestres satellitaires.