Amplificateur de puissance double canal 10,7‑11,7/11,8‑12,8 GHz 50 W avec source de signal

Présentation du produit

Ce module amplificateur de puissance RF GaN de 50 W, validé sur le terrain, est spécialement conçu pour l'intégration dans des systèmes RF professionnels haute fréquence. Il couvre deux bandes de fréquences clés : 10,7–11,7 GHz et 11,8–12,8 GHz, et fournit une puissance de sortie RF constante de 50 W, ainsi qu'un gain élevé et une excellente linéarité sur toute sa bande de fonctionnement.

Conçue à partir de la technologie éprouvée des semi-conducteurs au nitrure de gallium, cette unité tire parti des avantages inhérents au GaN pour les applications en bande micro-ondes. Son architecture thermique optimisée intègre des structures de dissipation thermique bien conçues afin de garantir une puissance de sortie stable lors d'un fonctionnement continu sur le terrain.

Conçu pour une intégration dans des systèmes réels, ce module prend en charge la commande d'activation externe et intègre des circuits de protection multidéfauts contre les surchauffes et les surintensités. Les mécanismes de protection contribuent à éviter la surchauffe des composants et à réduire les temps d'arrêt imprévus du système.

Ayant fait ses preuves dans les stations terrestres de satellites, les équipements de transmission micro-ondes et diverses configurations de test et de mesure RF, cet amplificateur constitue un élément de base fiable pour les déploiements micro-ondes haute fréquence en laboratoire et sur site.

Spécifications électriques

*Si vous souhaitez en savoir plus sur cet amplificateur de puissance 50 W 10,7-11,7/11,8-12,8 GHz, n'hésitez pas à nous le faire savoir, et nous vous fournirons une assistance technique dans les 24 heures !