Module d'amplificateur de puissance RF à semi-conducteurs GaN SSPA 100 W 6-8 GHz

Ce module amplificateur à semi-conducteurs haute puissance multi-octave 6000-8000 MHz 100 W, basé sur la technologie GaN à puce et fil, offre une puissance de sortie saturée ≥ 100 W, un gain ≥ 50 dB et une linéarité de gain de ±2 dB avec une perte de retour d'entrée ≤ -10 dB. Les harmoniques sont maîtrisées à ≤ -12 dBc à 50 W de puissance de sortie, et la suppression des signaux parasites atteint ≤ -60 dBc sous saturation, avec une adaptation d'impédance d'entrée/sortie standard de 50 Ω.

Il supporte une large plage de tension d'entrée CC de 24 à 32 V (28 V nominal) et consomme un courant typique de 8 A à une puissance de sortie de 50 W. Il supporte en continu un ROS de charge triphasée de 3:1 à pleine puissance (100 W) et bénéficie d'une triple protection contre la surchauffe, la surtension et la surintensité, avec arrêt automatique à 85 °C ± 5 °C. Le connecteur hybride D-Sub 7W2 intègre l'alimentation, l'activation TTL et la communication à distance RS485. Doté d'une entrée RF SMA-F et d'une sortie NF, il mesure 170 × 94 × 26,5 mm pour un poids de 1,5 kg et fonctionne de -30 °C à +55 °C. Il est largement utilisé pour les tests CEM, la simulation de brouillage RF et les systèmes de mesure micro-ondes.